DDR3基本知识

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DDR3基本知识

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DDR3

基本知识

一、

DDR3

简介

 DDR3

double-data-rate three synchronous dynamic random access 

memory

是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。

DDR3

DDR2

的基础上继承发展而来,其数据传输速度为

DDR2

的两倍。同时,

DDR3

标准可以使

单颗内存芯片的容量更为扩大,达到

512Mb

8Gb

,从而使采用

DDR3

芯片的内存条

容量扩大到最高

16GB

。此外,

DDR3

的工作电压降低为

1.5V

,比采用

1.8V

DDR2

省电

30%

左右。说到底,这些指标上的提升在

技术

上最大的

支撑

自于

芯片

制造

的提升,

90nm

至更

先进

45nm

制造

使

样功能

MOS

可以

制造

的更

,从而带来更

、更

、更省电的

技术

提升。

 DDR3

的发展

不能

说是

顺利

虽然

2005

年就已经有

的标准发

2007

应用

Intel P35 

Bearlake

芯片

上,

没有像业界预想

那样

很快替代

DDR2

,这

中间还经历了对

SDRAM

业界影响深远

金融危

机,

不但

使

DDR3

市场

的速度更

加减慢

使

DDR3

技术

上一度

世界

先地位

的内存大

厂奇

倒闭

在是

让人惋惜

虽然如

此,

DDR3

现今

是并行

SDRAM

家族中

速度最

成熟

标准,

JEDEC

标准

规定

DDR3

最高速度可达

1600MT/s

1MT/s

每秒钟

百万次

传输)

此,

内存

可以

产速度高

JEDEC

标准的

DDR3

产品,

速度为

2000MT/s

DDR3

产品,

报道称

其最高速度可高达

2500MT/s

DDR

储器特性

 1) 

的上升

和下

沿

同时传输数据

 DDR

储器

主要优势

同时在时

循环

的上升

和下

沿

数据,从而

把给

频率

的数据速

提高

1

倍。

,在

DDR200

器件

,数据传

频率

200 MHz

,而总线速度

100 MHz

 2) 

工作电压低

 DDR1

DDR2

DDR3

储器

的电压

分别

2.5

1.8

1.5V

3.3V

正常

SDRAM

芯片

比,

它们

在电

量更

效率

更高。

 3) 

DDR

储器

特性

。存

储器延

通过

系列

字体

DDR1

2-3-2-6-T1

3-4-4-8

2-2-2-5

。这些数

字表明

储器

所需

的时

脉冲

数,数

字越

,存

储越

这些数

下:

CL- tRCD 

 tRP 

 tRAS 

 CMD

要理解

它们

您必须牢记

储器被

为一

个矩阵

,数据

存在行

和列

交叉点

CL

:列

址选通脉冲

CAS

延迟

,是从

处理器

数据内存

请求

到存



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